S60N10
IC
TO-252
可供量大可议
S60N10
S60N10 是高性能沟槽 N 沟道 MOSFET， 具有极高的单元密度， 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 S60N10 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试， 具备完整的功能可靠性认证。
品牌
HL
封装
TO-252
库存
265
货期
现货
S60N10参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 265 |
S60N10概述
S60N10 是高性能沟槽 N 沟道 MOSFET， 具有极高的单元密度， 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 S60N10 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试， 具备完整的功能可靠性认证。
S60N10特性
暂无产品特性。
S60N10应用领域
暂无应用领域。