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S4D02120A-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

S4D02120A-HXY

未分类

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

300

货期

现货

S4D02120A-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
批次26+
二极管配置1个独立式
正向压降(Vf)1.36V@2A
反向电流(Ir)50uA@1200V
工作结温范围-55℃~+175℃
分类碳化硅二极管
库存300
MOQ / SPQ1 / 1
整流电流2A
直流反向耐压(Vr)1.2kV
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)30A

S4D02120A-HXY概述

未分类

S4D02120A-HXY特性

暂无产品特性。

S4D02120A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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