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S3D30065H-HXY
IC

TO-247-2L

可供量大可议

S3D30065H-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为30A, 反向重复峰值电压达650V, 适用于较高功率密度的电源系统。 其正向导通压降为1.4V, 在高负载条件下具备良好的电能转换效率, 有助于降低导通损耗。 基于碳化硅材料特性, 器件具备优异的反向恢复能力, 支持高频开关工作模式, 减少开关过程中的能量损耗。 适用于高效开关电源、通信电源模块、可再生能源发电系统及高可靠性直流变换装置, 满足对热性能和长期运行稳定性要求较高的技术应用环境。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247-2L

库存

7

货期

现货

S3D30065H-HXY参数

封装TO-247-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存7

S3D30065H-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为30A, 反向重复峰值电压达650V, 适用于较高功率密度的电源系统。 其正向导通压降为1.4V, 在高负载条件下具备良好的电能转换效率, 有助于降低导通损耗。 基于碳化硅材料特性, 器件具备优异的反向恢复能力, 支持高频开关工作模式, 减少开关过程中的能量损耗。 适用于高效开关电源、通信电源模块、可再生能源发电系统及高可靠性直流变换装置, 满足对热性能和长期运行稳定性要求较高的技术应用环境。

S3D30065H-HXY特性

暂无产品特性。

S3D30065H-HXY应用领域

暂无应用领域。

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