S3D30065H-HXY
IC
TO-247-2L
可供量大可议
S3D30065H-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为30A, 反向重复峰值电压达650V, 适用于较高功率密度的电源系统。 其正向导通压降为1.4V, 在高负载条件下具备良好的电能转换效率, 有助于降低导通损耗。 基于碳化硅材料特性, 器件具备优异的反向恢复能力, 支持高频开关工作模式, 减少开关过程中的能量损耗。 适用于高效开关电源、通信电源模块、可再生能源发电系统及高可靠性直流变换装置, 满足对热性能和长期运行稳定性要求较高的技术应用环境。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-2L
库存
7
货期
现货
S3D30065H-HXY参数
| 封装 | TO-247-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 7 |
S3D30065H-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为30A, 反向重复峰值电压达650V, 适用于较高功率密度的电源系统。 其正向导通压降为1.4V, 在高负载条件下具备良好的电能转换效率, 有助于降低导通损耗。 基于碳化硅材料特性, 器件具备优异的反向恢复能力, 支持高频开关工作模式, 减少开关过程中的能量损耗。 适用于高效开关电源、通信电源模块、可再生能源发电系统及高可靠性直流变换装置, 满足对热性能和长期运行稳定性要求较高的技术应用环境。
S3D30065H-HXY特性
暂无产品特性。
S3D30065H-HXY应用领域
暂无应用领域。
