库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
S3D20065H-HXY
IC

TO-247-2L

可供量大可议

S3D20065H-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备20A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向导通压降(VF)典型值为1.4V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 基于碳化硅材料的特性, 该器件支持更高的开关频率和工作温度, 适用于高功率密度电源转换场景, 如高效开关电源、光伏逆变系统及储能装置中的整流与续流环节, 可有效减少散热设计复杂度并提升系统可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247-2L

库存

12

货期

现货

S3D20065H-HXY参数

封装TO-247-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存12

S3D20065H-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备20A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向导通压降(VF)典型值为1.4V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 基于碳化硅材料的特性, 该器件支持更高的开关频率和工作温度, 适用于高功率密度电源转换场景, 如高效开关电源、光伏逆变系统及储能装置中的整流与续流环节, 可有效减少散热设计复杂度并提升系统可靠性。

S3D20065H-HXY特性

暂无产品特性。

S3D20065H-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件