S3D20065H-HXY
IC
TO-247-2L
可供量大可议
S3D20065H-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备20A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向导通压降(VF)典型值为1.4V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 基于碳化硅材料的特性, 该器件支持更高的开关频率和工作温度, 适用于高功率密度电源转换场景, 如高效开关电源、光伏逆变系统及储能装置中的整流与续流环节, 可有效减少散热设计复杂度并提升系统可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-2L
库存
12
货期
现货
S3D20065H-HXY参数
| 封装 | TO-247-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 12 |
S3D20065H-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备20A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 在高负载条件下仍能保持稳定性能。 其正向导通压降(VF)典型值为1.4V, 有助于降低导通损耗, 提升系统整体能效。 基于碳化硅材料的特性, 该器件支持更高的开关频率和工作温度, 适用于高功率密度电源转换场景, 如高效开关电源、光伏逆变系统及储能装置中的整流与续流环节, 可有效减少散热设计复杂度并提升系统可靠性。
S3D20065H-HXY特性
暂无产品特性。
S3D20065H-HXY应用领域
暂无应用领域。
