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S3D10065I-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

S3D10065I-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为10A, 最大反向重复电压为650V。 其正向压降为1.5V, 在高频或高温条件下仍能保持较低的导通损耗; 反向漏电流为60μA, 展现出良好的阻断特性。 器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率、热稳定性和开关性能要求较高的电源转换系统, 如高频整流、功率因数校正及紧凑型电力电子装置。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

23

货期

现货

S3D10065I-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存23

S3D10065I-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为10A, 最大反向重复电压为650V。 其正向压降为1.5V, 在高频或高温条件下仍能保持较低的导通损耗; 反向漏电流为60μA, 展现出良好的阻断特性。 器件可承受高达90A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率、热稳定性和开关性能要求较高的电源转换系统, 如高频整流、功率因数校正及紧凑型电力电子装置。

S3D10065I-HXY特性

暂无产品特性。

S3D10065I-HXY应用领域

暂无应用领域。

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