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S3D10065G-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

S3D10065G-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备10A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.51V。 其基于碳化硅材料的特性, 具有优异的开关性能和较高的工作温度能力, 适用于需要高效能与紧凑设计的电力转换场合。 器件在高频率整流、电源适配器、光伏逆变以及储能系统中表现出良好的稳定性和低损耗特性, 是现代电力电子设计中实现高效率和高可靠性的关键元件之一。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

23

货期

现货

S3D10065G-HXY参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存23

S3D10065G-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备10A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.51V。 其基于碳化硅材料的特性, 具有优异的开关性能和较高的工作温度能力, 适用于需要高效能与紧凑设计的电力转换场合。 器件在高频率整流、电源适配器、光伏逆变以及储能系统中表现出良好的稳定性和低损耗特性, 是现代电力电子设计中实现高效率和高可靠性的关键元件之一。

S3D10065G-HXY特性

暂无产品特性。

S3D10065G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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