S3D10065G-HXY
IC
TO-263
可供量大可议
S3D10065G-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备10A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.51V。 其基于碳化硅材料的特性, 具有优异的开关性能和较高的工作温度能力, 适用于需要高效能与紧凑设计的电力转换场合。 器件在高频率整流、电源适配器、光伏逆变以及储能系统中表现出良好的稳定性和低损耗特性, 是现代电力电子设计中实现高效率和高可靠性的关键元件之一。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
23
货期
现货
S3D10065G-HXY参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 23 |
S3D10065G-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备10A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.51V。 其基于碳化硅材料的特性, 具有优异的开关性能和较高的工作温度能力, 适用于需要高效能与紧凑设计的电力转换场合。 器件在高频率整流、电源适配器、光伏逆变以及储能系统中表现出良好的稳定性和低损耗特性, 是现代电力电子设计中实现高效率和高可靠性的关键元件之一。
S3D10065G-HXY特性
暂无产品特性。
S3D10065G-HXY应用领域
暂无应用领域。
