S3D10065E-HXY

该碳化硅二极管为独立式结构， 额定正向电流（IF）为10A， 反向重复峰值电压（VR）为650V， 导通时正向压降（VF）低至1.37V。 基于碳化硅材料的物理特性， 器件具备优异的高温稳定性、极快的开关速度和极低的反向恢复电荷， 适用于高频、高效率的电力转换应用。 典型使用场景包括大功率开关电源、数据中心电源系统、可再生能源逆变装置及高密度DC-DC变换器， 能够有效降低开关损耗， 提升整体能效， 并支持系统向更高功率密度和更优热管理方向发展。