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S3D08065L-HXY
IC

DFN-5B(8x8)

可供量大可议

S3D08065L-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.42V。 器件利用碳化硅材料特性, 具有优异的开关性能和高温工作能力, 反向恢复时间极短, 可有效降低系统开关损耗。 其封装设计有利于散热与电路集成, 适用于高频率、高效率的电力转换场合, 如开关电源、光伏逆变、储能系统及高密度电源模块等场景, 有助于提升整体能效与系统可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-5B(8x8)

库存

6

货期

现货

S3D08065L-HXY参数

封装DFN-5B(8x8)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存6

S3D08065L-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.42V。 器件利用碳化硅材料特性, 具有优异的开关性能和高温工作能力, 反向恢复时间极短, 可有效降低系统开关损耗。 其封装设计有利于散热与电路集成, 适用于高频率、高效率的电力转换场合, 如开关电源、光伏逆变、储能系统及高密度电源模块等场景, 有助于提升整体能效与系统可靠性。

S3D08065L-HXY特性

暂无产品特性。

S3D08065L-HXY应用领域

暂无应用领域。

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