S3D08065L-HXY
IC
DFN-5B(8x8)
可供量大可议
S3D08065L-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.42V。 器件利用碳化硅材料特性, 具有优异的开关性能和高温工作能力, 反向恢复时间极短, 可有效降低系统开关损耗。 其封装设计有利于散热与电路集成, 适用于高频率、高效率的电力转换场合, 如开关电源、光伏逆变、储能系统及高密度电源模块等场景, 有助于提升整体能效与系统可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-5B(8x8)
库存
6
货期
现货
S3D08065L-HXY参数
| 封装 | DFN-5B(8x8) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 6 |
S3D08065L-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.42V。 器件利用碳化硅材料特性, 具有优异的开关性能和高温工作能力, 反向恢复时间极短, 可有效降低系统开关损耗。 其封装设计有利于散热与电路集成, 适用于高频率、高效率的电力转换场合, 如开关电源、光伏逆变、储能系统及高密度电源模块等场景, 有助于提升整体能效与系统可靠性。
S3D08065L-HXY特性
暂无产品特性。
S3D08065L-HXY应用领域
暂无应用领域。
