S3D08065G-HXY

该碳化硅二极管为独立式结构， 额定正向电流（IF）为8A， 反向重复峰值电压（VR）达650V， 正向压降（VF）低至1.42V。 基于碳化硅半导体材料， 具备优异的开关特性， 反向恢复时间极短， 开关损耗显著低于传统硅二极管。 器件耐高温性能良好， 可在较高工作温度下保持稳定。 适用于高效率电源转换系统， 如通信电源、服务器电源、可再生能源逆变装置以及高密度直流-直流变换器。 其高频工作能力有助于减小外围滤波元件的体积， 提升系统整体功率密度与能效水平。