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S3D08065F-HXY
IC

TO-220F-2L

可供量大可议

S3D08065F-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.4V。 其基于碳化硅材料的特性, 具有优异的开关性能和高温工作能力, 可有效降低系统功耗并提升能量转换效率。 该器件适用于高频率、高效率的电源转换应用, 如开关模式电源、光伏逆变系统及高密度电源模块, 有助于减小外围元件尺寸并提升整体系统可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F-2L

库存

12

货期

现货

S3D08065F-HXY参数

封装TO-220F-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存12

S3D08065F-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.4V。 其基于碳化硅材料的特性, 具有优异的开关性能和高温工作能力, 可有效降低系统功耗并提升能量转换效率。 该器件适用于高频率、高效率的电源转换应用, 如开关模式电源、光伏逆变系统及高密度电源模块, 有助于减小外围元件尺寸并提升整体系统可靠性。

S3D08065F-HXY特性

暂无产品特性。

S3D08065F-HXY应用领域

暂无应用领域。

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