S3D08065F-HXY
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
S3D08065F-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.4V。 其基于碳化硅材料的特性, 具有优异的开关性能和高温工作能力, 可有效降低系统功耗并提升能量转换效率。 该器件适用于高频率、高效率的电源转换应用, 如开关模式电源、光伏逆变系统及高密度电源模块, 有助于减小外围元件尺寸并提升整体系统可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
12
货期
现货
S3D08065F-HXY参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 12 |
S3D08065F-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.4V。 其基于碳化硅材料的特性, 具有优异的开关性能和高温工作能力, 可有效降低系统功耗并提升能量转换效率。 该器件适用于高频率、高效率的电源转换应用, 如开关模式电源、光伏逆变系统及高密度电源模块, 有助于减小外围元件尺寸并提升整体系统可靠性。
S3D08065F-HXY特性
暂无产品特性。
S3D08065F-HXY应用领域
暂无应用领域。
