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S3D08065E-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

S3D08065E-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.4V, 有助于提升能效并减少热损耗。 其基于碳化硅材料的特性, 支持高频开关操作, 反向恢复时间极短, 适用于高效率电源转换设计。 典型应用场景包括开关模式电源、功率因数校正电路、DC-DC转换器以及高密度电源模块, 适合对散热性能和空间布局有较高要求的高性能电子设备。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

38

货期

现货

S3D08065E-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存38

S3D08065E-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.4V, 有助于提升能效并减少热损耗。 其基于碳化硅材料的特性, 支持高频开关操作, 反向恢复时间极短, 适用于高效率电源转换设计。 典型应用场景包括开关模式电源、功率因数校正电路、DC-DC转换器以及高密度电源模块, 适合对散热性能和空间布局有较高要求的高性能电子设备。

S3D08065E-HXY特性

暂无产品特性。

S3D08065E-HXY应用领域

暂无应用领域。

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