S3D08065E-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
S3D08065E-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.4V, 有助于提升能效并减少热损耗。 其基于碳化硅材料的特性, 支持高频开关操作, 反向恢复时间极短, 适用于高效率电源转换设计。 典型应用场景包括开关模式电源、功率因数校正电路、DC-DC转换器以及高密度电源模块, 适合对散热性能和空间布局有较高要求的高性能电子设备。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
38
货期
现货
S3D08065E-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 38 |
S3D08065E-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备8A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降低至1.4V, 有助于提升能效并减少热损耗。 其基于碳化硅材料的特性, 支持高频开关操作, 反向恢复时间极短, 适用于高效率电源转换设计。 典型应用场景包括开关模式电源、功率因数校正电路、DC-DC转换器以及高密度电源模块, 适合对散热性能和空间布局有较高要求的高性能电子设备。
S3D08065E-HXY特性
暂无产品特性。
S3D08065E-HXY应用领域
暂无应用领域。
