S3D06065E-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
S3D06065E-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.36V。 器件利用碳化硅材料特性, 具有优异的开关性能和热稳定性, 可实现高频、高效率的整流功能。 适用于高功率密度电源转换场景, 如高效开关电源、光伏逆变系统及高可靠性储能装置中的功率因数校正和续流保护电路, 能有效降低系统损耗, 提升整体能效水平。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
15
货期
现货
S3D06065E-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 15 |
S3D06065E-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具备6A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR), 正向压降(VF)为1.36V。 器件利用碳化硅材料特性, 具有优异的开关性能和热稳定性, 可实现高频、高效率的整流功能。 适用于高功率密度电源转换场景, 如高效开关电源、光伏逆变系统及高可靠性储能装置中的功率因数校正和续流保护电路, 能有效降低系统损耗, 提升整体能效水平。
S3D06065E-HXY特性
暂无产品特性。
S3D06065E-HXY应用领域
暂无应用领域。
