S3D06065A-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
S3D06065A-HXY
该碳化硅二极管为单体结构, 额定正向电流(IF)为6A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向导通压降(VF)为1.36V。 基于碳化硅半导体材料, 具备优异的高温工作能力与极低的反向恢复电荷, 可实现高速开关操作。 适用于高效率开关电源、DC-AC逆变装置、DC-DC变换电路及高密度电源模块, 尤其适合对热性能与能效要求较高的紧凑型电力转换系统, 有助于减少能量损耗并提升系统整体响应特性与稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
10
货期
现货
S3D06065A-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
S3D06065A-HXY概述
该碳化硅二极管为单体结构, 额定正向电流(IF)为6A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向导通压降(VF)为1.36V。 基于碳化硅半导体材料, 具备优异的高温工作能力与极低的反向恢复电荷, 可实现高速开关操作。 适用于高效率开关电源、DC-AC逆变装置、DC-DC变换电路及高密度电源模块, 尤其适合对热性能与能效要求较高的紧凑型电力转换系统, 有助于减少能量损耗并提升系统整体响应特性与稳定性。
S3D06065A-HXY特性
暂无产品特性。
S3D06065A-HXY应用领域
暂无应用领域。
