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S3D06065A-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

S3D06065A-HXY

该碳化硅二极管为单体结构, 额定正向电流(IF)为6A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向导通压降(VF)为1.36V。 基于碳化硅半导体材料, 具备优异的高温工作能力与极低的反向恢复电荷, 可实现高速开关操作。 适用于高效率开关电源、DC-AC逆变装置、DC-DC变换电路及高密度电源模块, 尤其适合对热性能与能效要求较高的紧凑型电力转换系统, 有助于减少能量损耗并提升系统整体响应特性与稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

10

货期

现货

S3D06065A-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存10

S3D06065A-HXY概述

该碳化硅二极管为单体结构, 额定正向电流(IF)为6A, 反向重复峰值电压(VR)达650V, 正向导通压降(VF)为1.36V。 基于碳化硅半导体材料, 具备优异的高温工作能力与极低的反向恢复电荷, 可实现高速开关操作。 适用于高效率开关电源、DC-AC逆变装置、DC-DC变换电路及高密度电源模块, 尤其适合对热性能与能效要求较高的紧凑型电力转换系统, 有助于减少能量损耗并提升系统整体响应特性与稳定性。

S3D06065A-HXY特性

暂无产品特性。

S3D06065A-HXY应用领域

暂无应用领域。

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