S2M0080120D
IC
TO-247AD
可供量大可议
S2M0080120D
S2M0080120D是一款采用TO - 247AD封装的单碳化硅（SiC）功率MOSFET。 该器件为高压n沟道增强型MOSFET， 总传导损耗极低， 且在极端温度条件下开关特性非常稳定。 S2M0080120D非常适合在严苛环境下对能量敏感的高频应用
品牌
SMC
封装
TO-247AD
库存
23
货期
现货
S2M0080120D参数
| 封装 | TO-247AD |
|---|---|
| 品牌 | SMC(桑德斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
S2M0080120D概述
S2M0080120D是一款采用TO - 247AD封装的单碳化硅（SiC）功率MOSFET。 该器件为高压n沟道增强型MOSFET， 总传导损耗极低， 且在极端温度条件下开关特性非常稳定。 S2M0080120D非常适合在严苛环境下对能量敏感的高频应用
S2M0080120D特性
暂无产品特性。
S2M0080120D应用领域
暂无应用领域。