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S2M0040120K-1
IC

TO-247-4

可供量大可议

S2M0040120K-1

是单颗碳化硅功率MOSFET, 采用TO-247-4封装。 该器件是高压n沟道增强型MOSFET, 在极端温度下具有极低的总传导损耗和非常稳定的开关特性。 适用于具有挑战性环境中的对能量敏感的高频应用。

品牌

SMC

封装

TO-247-4

库存

5

货期

现货

S2M0040120K-1参数

封装TO-247-4
品牌SMC(桑德斯)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅场效应管(MOSFET)
库存5

S2M0040120K-1概述

是单颗碳化硅功率MOSFET, 采用TO-247-4封装。 该器件是高压n沟道增强型MOSFET, 在极端温度下具有极低的总传导损耗和非常稳定的开关特性。 适用于具有挑战性环境中的对能量敏感的高频应用。

S2M0040120K-1特性

暂无产品特性。

S2M0040120K-1应用领域

暂无应用领域。

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