S2M0025120K
IC
TO-247-4
可供量大可议
S2M0025120K
S2M0025120K是一款采用TO - 247 - 4封装的单颗碳化硅（SiC）功率MOSFET。 该器件为高压n沟道增强型MOSFET， 总传导损耗极低， 且在极端温度条件下开关特性非常稳定。 S2M0025120K非常适合在恶劣环境下对能量敏感的高频应用
品牌
SMC
封装
TO-247-4
库存
3
货期
现货
S2M0025120K参数
| 封装 | TO-247-4 |
|---|---|
| 品牌 | SMC(桑德斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
S2M0025120K概述
S2M0025120K是一款采用TO - 247 - 4封装的单颗碳化硅（SiC）功率MOSFET。 该器件为高压n沟道增强型MOSFET， 总传导损耗极低， 且在极端温度条件下开关特性非常稳定。 S2M0025120K非常适合在恶劣环境下对能量敏感的高频应用
S2M0025120K特性
暂无产品特性。
S2M0025120K应用领域
暂无应用领域。