S2M0025120J
IC
TO-263-7
可供量大可议
S2M0025120J
是单颗碳化硅（SiC）功率MOSFET， 采用TO-263-7封装。 该器件是高压n沟道增强型MOSFET， 在极端温度下具有极低的总传导损耗和非常稳定的开关特性。 适用于具有挑战性环境中的对能量敏感的高频应用。
品牌
SMC
封装
TO-263-7
库存
4
货期
现货
S2M0025120J参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | SMC(桑德斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
S2M0025120J概述
是单颗碳化硅（SiC）功率MOSFET， 采用TO-263-7封装。 该器件是高压n沟道增强型MOSFET， 在极端温度下具有极低的总传导损耗和非常稳定的开关特性。 适用于具有挑战性环境中的对能量敏感的高频应用。
S2M0025120J特性
暂无产品特性。
S2M0025120J应用领域
暂无应用领域。