S29GL256P90FFIR20

采用90nm工艺技术制造。 这些器件提供25ns的快速页面访问时间， 相应的随机访问时间最快可达90ns。 它们具有一个写缓冲区， 允许在一次操作中编程最多32字/64字节， 比标准编程算法具有更快的有效编程时间。 这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。