S29GL128S90DHI010

MirrorBit Eclipse闪存产品采用65 nm工艺技术制造。 这些器件提供最快达15 ns的快速页面访问时间， 相应的随机访问时间最快达90 ns。 它们具有一个写缓冲区， 允许在一次操作中最多编程256字/512字节， 比标准编程算法具有更快的有效编程时间。 这使得这些器件非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。