S29GL128P11TFIV10
IC
TSOP-56-14.0mm
可供量大可议
S29GL128P11TFIV10
采用90 nm MirrorBit工艺技术的3V页式闪存， 具有快速页面访问时间、写缓冲区、多功能I/O控制等特性
品牌
Infineon/CYPRESS
封装
TSOP-56-14.0mm
库存
77
货期
现货
S29GL128P11TFIV10参数
| 封装 | TSOP-56-14.0mm |
|---|---|
| 品牌 | Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | NOR FLASH |
|---|---|
| 库存 | 77 |
S29GL128P11TFIV10概述
采用90 nm MirrorBit工艺技术的3V页式闪存， 具有快速页面访问时间、写缓冲区、多功能I/O控制等特性
S29GL128P11TFIV10特性
暂无产品特性。
S29GL128P11TFIV10应用领域
暂无应用领域。