S29GL128P10TFI010
IC
TSOP-56-18.5mm
可供量大可议
S29GL128P10TFI010
的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。 这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒， 随机访问时间最快可达 90 纳秒。 它们配备写缓冲器， 一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程， 与标准编程算法相比， 有效编程时间更短
品牌
Infineon/CYPRESS
封装
TSOP-56-18.5mm
库存
54
货期
现货
S29GL128P10TFI010参数
| 封装 | TSOP-56-18.5mm |
|---|---|
| 品牌 | Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | NOR FLASH |
|---|---|
| 库存 | 54 |
S29GL128P10TFI010概述
的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。 这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒， 随机访问时间最快可达 90 纳秒。 它们配备写缓冲器， 一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程， 与标准编程算法相比， 有效编程时间更短
S29GL128P10TFI010特性
暂无产品特性。
S29GL128P10TFI010应用领域
暂无应用领域。