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S29GL01GS11TFIV20
IC

TFSOP-56-18.4mm

可供量大可议

S29GL01GS11TFIV20

采用65纳米工艺技术制造。 这些设备提供快速的页面访问时间, 最快可达15 ns, 相应的随机访问时间最快可达90 ns。 它们具有一个写入缓冲区, 允许在一次操作中最多编程256个字/512字节, 比标准编程算法具有更快的有效编程时间。 这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

品牌

Infineon

封装

TFSOP-56-18.4mm

库存

5

货期

现货

S29GL01GS11TFIV20参数

封装TFSOP-56-18.4mm
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 1
分类NOR FLASH
库存5

S29GL01GS11TFIV20概述

采用65纳米工艺技术制造。 这些设备提供快速的页面访问时间, 最快可达15 ns, 相应的随机访问时间最快可达90 ns。 它们具有一个写入缓冲区, 允许在一次操作中最多编程256个字/512字节, 比标准编程算法具有更快的有效编程时间。 这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

S29GL01GS11TFIV20特性

暂无产品特性。

S29GL01GS11TFIV20应用领域

暂无应用领域。

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