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S29GL01GS10TFI010
IC

TSOP-56-18.5mm

可供量大可议

S29GL01GS10TFI010

采用65纳米制程技术制造。 这些设备提供了快速的页面访问时间, 最快可达15 ns, 相应的随机访问时间最快可达90 ns。 它们具有一个写缓冲区, 允许在一次操作中最多编程256个字/512字节, 比标准编程算法具有更快的有效编程时间。 这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

品牌

Infineon/CYPRESS

封装

TSOP-56-18.5mm

库存

35

货期

现货

S29GL01GS10TFI010参数

封装TSOP-56-18.5mm
品牌Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
MOQ / SPQ1 / 1
分类NOR FLASH
库存35

S29GL01GS10TFI010概述

采用65纳米制程技术制造。 这些设备提供了快速的页面访问时间, 最快可达15 ns, 相应的随机访问时间最快可达90 ns。 它们具有一个写缓冲区, 允许在一次操作中最多编程256个字/512字节, 比标准编程算法具有更快的有效编程时间。 这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。

S29GL01GS10TFI010特性

暂无产品特性。

S29GL01GS10TFI010应用领域

暂无应用领域。

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