S29GL01GS10TFI010
IC
TSOP-56-18.5mm
可供量大可议
S29GL01GS10TFI010
采用65纳米制程技术制造。 这些设备提供了快速的页面访问时间, 最快可达15 ns, 相应的随机访问时间最快可达90 ns。 它们具有一个写缓冲区, 允许在一次操作中最多编程256个字/512字节, 比标准编程算法具有更快的有效编程时间。 这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
品牌
Infineon/CYPRESS
封装
TSOP-56-18.5mm
库存
35
货期
现货
S29GL01GS10TFI010参数
| 封装 | TSOP-56-18.5mm |
|---|---|
| 品牌 | Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | NOR FLASH |
|---|---|
| 库存 | 35 |
S29GL01GS10TFI010概述
采用65纳米制程技术制造。 这些设备提供了快速的页面访问时间, 最快可达15 ns, 相应的随机访问时间最快可达90 ns。 它们具有一个写缓冲区, 允许在一次操作中最多编程256个字/512字节, 比标准编程算法具有更快的有效编程时间。 这使得这些设备非常适合当今需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。
S29GL01GS10TFI010特性
暂无产品特性。
S29GL01GS10TFI010应用领域
暂无应用领域。
