S29GL01GS10DHI020

采用65纳米制程技术制造， 具备快速页面访问时间， 最快可达15 ns， 随机访问时间最快可达90 ns。 其写入缓冲区允许在一次操作中对最多256个字/512字节进行编程， 有效编程时间比标准编程算法更快。 适用于需要更高密度、更好性能和更低功耗的嵌入式应用。