S25V06D
IC
PDFN3x3-8L
可供量大可议
S25V06D
特性：采用分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 高密度单元设计， 实现低导通电阻RDS(ON)。 应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
品牌
HL
封装
PDFN3x3-8L
库存
6,435
货期
现货
S25V06D参数
| 封装 | PDFN3x3-8L |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6435 |
S25V06D概述
特性：采用分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 高密度单元设计， 实现低导通电阻RDS(ON)。 应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
S25V06D特性
暂无产品特性。
S25V06D应用领域
暂无应用领域。