S25FL128LAGNFI010
IC
WDFN-8-EP
可供量大可议
S25FL128LAGNFI010
采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。 通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统， 支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO）， 以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。 此外， QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令， 可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。 架构具有页面编程缓冲区， 允许一次操作中最多编程256字节， 并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能
品牌
Infineon/CYPRESS
封装
WDFN-8-EP
库存
15
货期
现货
S25FL128LAGNFI010参数
| 封装 | WDFN-8-EP |
|---|---|
| 品牌 | Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | NOR FLASH |
|---|---|
| 库存 | 15 |
S25FL128LAGNFI010概述
采用浮栅技术和65纳米工艺光刻技术。 通过串行外设接口（SPI）连接到主机系统， 支持传统SPI单比特串行输入输出（单I/O或SIO）， 以及可选的双比特（双I/O或DIO）和四比特宽的四I/O（QIO）和四外设接口（QPI）命令。 此外， QIO和QPI还有双倍数据速率（DDR）读取命令， 可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。 架构具有页面编程缓冲区， 允许一次操作中最多编程256字节， 并提供单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除功能
S25FL128LAGNFI010特性
暂无产品特性。
S25FL128LAGNFI010应用领域
暂无应用领域。