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S25FL064LABMFM013
IC

SOIC-8

可供量大可议

S25FL064LABMFM013

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。 FL-L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。 支持传统的SPI单比特串行输入和输出(单I/O或SIO), 以及可选的双比特(双I/O或DIO)和四比特宽Quad I/O(QIO)和Quad外设接口(QPI)命令。 此外, 还有用于QIO和QPI的双数据速率(DDR)读取命令, 可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。 该架构具有页面编程缓冲区, 允许在一个操作中编程多达256字节, 并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。 通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下, 并使用Quad命令, 指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存, 同时大幅减少信号数量。 FL-L系列产品提供高密度, 并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。 为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。 这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。 它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码(xIP)和存储可编程数据。

品牌

Infineon/CYPRESS

封装

SOIC-8

库存

31

货期

现货

S25FL064LABMFM013参数

封装SOIC-8
品牌Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
MOQ / SPQ1 / 1
分类NOR FLASH
库存31

S25FL064LABMFM013概述

FL-L系列器件是采用浮栅技术和65nm工艺光刻的闪存非易失性存储器产品。 FL-L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。 支持传统的SPI单比特串行输入和输出(单I/O或SIO), 以及可选的双比特(双I/O或DIO)和四比特宽Quad I/O(QIO)和Quad外设接口(QPI)命令。 此外, 还有用于QIO和QPI的双数据速率(DDR)读取命令, 可在时钟的两个边沿传输地址和读取数据。 该架构具有页面编程缓冲区, 允许在一个操作中编程多达256字节, 并提供单独的4 KB扇区、32 KB半块扇区、64 KB块扇区或整个芯片擦除。 通过使用FL-L系列器件在支持的较高时钟速率下, 并使用Quad命令, 指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口、异步NOR闪存, 同时大幅减少信号数量。 FL-L系列产品提供高密度, 并结合了各种移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。 为空间、信号连接和功耗有限的系统提供理想的存储解决方案。 这些存储器提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。 它们非常适合代码在RAM中影射、直接执行代码(xIP)和存储可编程数据。

S25FL064LABMFM013特性

暂无产品特性。

S25FL064LABMFM013应用领域

暂无应用领域。

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