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S210-HXY
IC

SMB

可供量大可议

S210-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达100V。 其典型正向压降(VF)为0.85V, 在100V反向电压下漏电流(IR)不超过100μA。 器件具备50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力。 凭借较低的导通压降和良好的反向特性, 适用于高频整流、电源适配器、开关电源中的续流与箝位等电路场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

175

货期

现货

S210-HXY参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存175

S210-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达100V。 其典型正向压降(VF)为0.85V, 在100V反向电压下漏电流(IR)不超过100μA。 器件具备50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力。 凭借较低的导通压降和良好的反向特性, 适用于高频整流、电源适配器、开关电源中的续流与箝位等电路场合。

S210-HXY特性

暂无产品特性。

S210-HXY应用领域

暂无应用领域。

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