S210-HXY
IC
SMB
可供量大可议
S210-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达100V。 其典型正向压降(VF)为0.85V, 在100V反向电压下漏电流(IR)不超过100μA。 器件具备50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力。 凭借较低的导通压降和良好的反向特性, 适用于高频整流、电源适配器、开关电源中的续流与箝位等电路场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
175
货期
现货
S210-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 175 |
S210-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达100V。 其典型正向压降(VF)为0.85V, 在100V反向电压下漏电流(IR)不超过100μA。 器件具备50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)能力。 凭借较低的导通压降和良好的反向特性, 适用于高频整流、电源适配器、开关电源中的续流与箝位等电路场合。
S210-HXY特性
暂无产品特性。
S210-HXY应用领域
暂无应用领域。
