S1P05R120HBB
IC
插件, 62.8x56.8mm
可供量大可议
S1P05R120HBB
特性：漏源极电压（V_DSS） = 1200V。 额定漏极电流（I_D~nom） = 240A。 可高速开关。 高功率密度。 可高频运行。 超低损耗。 应用：伺服驱动器。 UPS系统
品牌
SICHAIN
封装
插件, 62.8x56.8mm
库存
3
货期
现货
S1P05R120HBB参数
| 封装 | 插件, 62.8x56.8mm |
|---|---|
| 品牌 | SICHAIN(清纯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
S1P05R120HBB概述
特性：漏源极电压（V_DSS） = 1200V。 额定漏极电流（I_D~nom） = 240A。 可高速开关。 高功率密度。 可高频运行。 超低损耗。 应用：伺服驱动器。 UPS系统
S1P05R120HBB特性
暂无产品特性。
S1P05R120HBB应用领域
暂无应用领域。