S1M075120J2
IC
TO-263-7L
可供量大可议
S1M075120J2
特性：高速开关。 极低的开关损耗。 IGBT 兼容驱动电压（导通时为 15V）。 完全可控的 dv/dt。 高阻断电压， 低导通电阻。 具有低反向恢复（Qrr）的快速本征二极管。 应用：车载充电器/PFC。 电动汽车电池充电器
品牌
SICHAIN
封装
TO-263-7L
库存
385
货期
现货
S1M075120J2参数
| 封装 | TO-263-7L |
|---|---|
| 品牌 | SICHAIN(清纯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 385 |
S1M075120J2概述
特性：高速开关。 极低的开关损耗。 IGBT 兼容驱动电压（导通时为 15V）。 完全可控的 dv/dt。 高阻断电压， 低导通电阻。 具有低反向恢复（Qrr）的快速本征二极管。 应用：车载充电器/PFC。 电动汽车电池充电器
S1M075120J2特性
暂无产品特性。
S1M075120J2应用领域
暂无应用领域。