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S160N06T
IC

TO-220

可供量大可议

S160N06T

分裂栅极沟槽MOSFET技术; 优异的封装散热性能; 高密度单元设计, 实现低RDS(ON)

品牌

HL

封装

TO-220

库存

253

货期

现货

S160N06T参数

封装TO-220
品牌HL(富海微)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存253

S160N06T概述

分裂栅极沟槽MOSFET技术; 优异的封装散热性能; 高密度单元设计, 实现低RDS(ON)

S160N06T特性

暂无产品特性。

S160N06T应用领域

暂无应用领域。

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