S160N06HG
IC
TO-263
可供量大可议
S160N06HG
工艺:SGT， 类型:N， 漏源电压(Vdss) (V):60， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):2～4， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):2.1/3， 连续漏极电流ID(A):160A
品牌
HL
封装
TO-263
库存
365
货期
现货
S160N06HG参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 365 |
S160N06HG概述
工艺:SGT， 类型:N， 漏源电压(Vdss) (V):60， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):2～4， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):2.1/3， 连续漏极电流ID(A):160A
S160N06HG特性
暂无产品特性。
S160N06HG应用领域
暂无应用领域。