S150P06G
IC
TO-263
可供量大可议
S150P06G
MOSFET类型:P， 漏源电压(Vdss) (V)：-60， 阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-2～-2.8， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.4， 连续漏极电流ID(A):-150A
品牌
HL
封装
TO-263
库存
852
货期
现货
S150P06G参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 852 |
S150P06G概述
MOSFET类型:P， 漏源电压(Vdss) (V)：-60， 阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-2～-2.8， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.4， 连续漏极电流ID(A):-150A
S150P06G特性
暂无产品特性。
S150P06G应用领域
暂无应用领域。