S150N03D
IC
PDFN-8L(3x3)
可供量大可议
S150N03D
平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):30 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.2～2.2导通电阻RDS(ON) (mΩ):1.4/2.1 连续漏极电流ID(A):150A
品牌
HL
封装
PDFN-8L(3x3)
库存
780
货期
现货
S150N03D参数
| 封装 | PDFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 780 |
S150N03D概述
平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):30 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.2～2.2导通电阻RDS(ON) (mΩ):1.4/2.1 连续漏极电流ID(A):150A
S150N03D特性
暂无产品特性。
S150N03D应用领域
暂无应用领域。