S125N06F
IC
PDFN5x6-8
可供量大可议
S125N06F
平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):60 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.2～2.2导通电阻RDS(ON) (mΩ):2.4连续漏极电流ID(A):125A
品牌
HL
封装
PDFN5x6-8
库存
4,562
货期
现货
S125N06F参数
| 封装 | PDFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4562 |
S125N06F概述
平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):60 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.2～2.2导通电阻RDS(ON) (mΩ):2.4连续漏极电流ID(A):125A
S125N06F特性
暂无产品特性。
S125N06F应用领域
暂无应用领域。