S120N10T
IC
TO-220
可供量大可议
S120N10T
工艺:SGT， 类型:N， 漏源电压(Vdss) (V):100， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):2～4， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):4.1/5， 连续漏极电流ID(A):120A
Brand
HL
Package
TO-220
Stock
1,500
货期
现货
S120N10TParameters
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1500 |
S120N10T概述
工艺:SGT， 类型:N， 漏源电压(Vdss) (V):100， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):2～4， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):4.1/5， 连续漏极电流ID(A):120A
S120N10T特性
暂无产品特性。
S120N10T应用领域
暂无应用领域。