S120N04D
IC
PDFN3x3-8L
可供量大可议
S120N04D
工艺:SGT， 类型:N， 漏源电压(Vdss) (V):40， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):1.2～2.2， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):2.1/2.8， 连续漏极电流ID(A):120A
品牌
HL
封装
PDFN3x3-8L
库存
3,950
货期
现货
S120N04D参数
| 封装 | PDFN3x3-8L |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3950 |
S120N04D概述
工艺:SGT， 类型:N， 漏源电压(Vdss) (V):40， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):1.2～2.2， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):2.1/2.8， 连续漏极电流ID(A):120A
S120N04D特性
暂无产品特性。
S120N04D应用领域
暂无应用领域。