S110FA-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
S110FA-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为100V。 其正向压降(VF)典型值为0.84V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)不超过40μA, 体现出良好的隔离性能。 凭借肖特基势垒带来的快速开关特性和较低的导通压降, 该器件适用于整流、续流、箝位以及各类对效率和响应速度有要求的电源相关电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
2,165
货期
现货
S110FA-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 2165 |
S110FA-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为100V。 其正向压降(VF)典型值为0.84V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)不超过40μA, 体现出良好的隔离性能。 凭借肖特基势垒带来的快速开关特性和较低的导通压降, 该器件适用于整流、续流、箝位以及各类对效率和响应速度有要求的电源相关电路中。
S110FA-HXY特性
暂无产品特性。
S110FA-HXY应用领域
暂无应用领域。
