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S110FA-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

S110FA-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为100V。 其正向压降(VF)典型值为0.84V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)不超过40μA, 体现出良好的隔离性能。 凭借肖特基势垒带来的快速开关特性和较低的导通压降, 该器件适用于整流、续流、箝位以及各类对效率和响应速度有要求的电源相关电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

2,165

货期

现货

S110FA-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存2165

S110FA-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为100V。 其正向压降(VF)典型值为0.84V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)不超过40μA, 体现出良好的隔离性能。 凭借肖特基势垒带来的快速开关特性和较低的导通压降, 该器件适用于整流、续流、箝位以及各类对效率和响应速度有要求的电源相关电路中。

S110FA-HXY特性

暂无产品特性。

S110FA-HXY应用领域

暂无应用领域。

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