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S100-HXY
IC

SMA

可供量大可议

S100-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 反向漏电流(IR)不超过100μA。 器件具备较强的浪涌电流承受能力, 最大正向浪涌电流(IFSM)可达30A。 该产品适用于对导通损耗和开关速度有较高要求的整流与续流场合, 凭借较低的VF值有助于提升系统效率, 同时在高反压条件下保持稳定的反向阻断特性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

110

货期

现货

S100-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存110

S100-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 反向漏电流(IR)不超过100μA。 器件具备较强的浪涌电流承受能力, 最大正向浪涌电流(IFSM)可达30A。 该产品适用于对导通损耗和开关速度有较高要求的整流与续流场合, 凭借较低的VF值有助于提升系统效率, 同时在高反压条件下保持稳定的反向阻断特性。

S100-HXY特性

暂无产品特性。

S100-HXY应用领域

暂无应用领域。

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