S100-HXY
IC
SMA
可供量大可议
S100-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 反向漏电流(IR)不超过100μA。 器件具备较强的浪涌电流承受能力, 最大正向浪涌电流(IFSM)可达30A。 该产品适用于对导通损耗和开关速度有较高要求的整流与续流场合, 凭借较低的VF值有助于提升系统效率, 同时在高反压条件下保持稳定的反向阻断特性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
110
货期
现货
S100-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 110 |
S100-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 反向漏电流(IR)不超过100μA。 器件具备较强的浪涌电流承受能力, 最大正向浪涌电流(IFSM)可达30A。 该产品适用于对导通损耗和开关速度有较高要求的整流与续流场合, 凭借较低的VF值有助于提升系统效率, 同时在高反压条件下保持稳定的反向阻断特性。
S100-HXY特性
暂无产品特性。
S100-HXY应用领域
暂无应用领域。
