S-LP3407LT1G
IC
SOT-23E
可供量大可议
S-LP3407LT1G
1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A
品牌
LRC
封装
SOT-23E
库存
2,815
货期
现货
S-LP3407LT1G参数
| 封装 | SOT-23E |
|---|---|
| 品牌 | LRC(乐山无线电) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 600mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2815 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 输入电容(Ciss) | 521pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品型号 | S-LP3407LT1G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.1e-05 |
S-LP3407LT1G概述
1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A
S-LP3407LT1G特性
- 漏源电压(VDS) = -30V
- 当栅源电压(VGS) = -10V 时, 漏极电流(ID) = -4.1A
- 当栅源电压(VGS) = -10V 时, 导通电阻(RDS(ON)) ≤ 70 mΩ
- 当栅源电压(VGS) = -4.5V 时, 导通电阻(RDS(ON)) ≤ 100 mΩ
- 我们声明该产品材料符合 RoHS 要求且无卤。
- 以“S”为前缀的产品适用于汽车及其他需要独特产地和制程变更要求的应用
- 符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。
S-LP3407LT1G应用领域
暂无应用领域。