S-LMUN5114DW1T1G
IC
SOT-363
可供量大可议
S-LMUN5114DW1T1G
BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管， 即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。 这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。 BRT通过将这些单个组件集成到一个器件中来消除它们。 在该系列中， 两个BRT器件封装在SOT-363封装中， 这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用非常理想。 简化电路设计， 减少电路板空间， 减少组件数量。 有8mm 7英寸/3000单位卷带包装。 产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用； 符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。
品牌
LRC
封装
SOT-363
库存
3,000
货期
现货
S-LMUN5114DW1T1G参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | LRC(乐山无线电) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 2个PNP-预偏置 |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 晶体管类型 | NPN+PNP |
| 输出电压(VO(on)) | 200mV |
| 电阻比率 | 0.21 |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 3,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 耗散功率(Pd) | 187mW |
| 直流电流增益(hFE) | 80 |
| 输入电阻 | 13kΩ |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
S-LMUN5114DW1T1G概述
BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管， 即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。 这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。 BRT通过将这些单个组件集成到一个器件中来消除它们。 在该系列中， 两个BRT器件封装在SOT-363封装中， 这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用非常理想。 简化电路设计， 减少电路板空间， 减少组件数量。 有8mm 7英寸/3000单位卷带包装。 产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用； 符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。
S-LMUN5114DW1T1G特性
暂无产品特性。
S-LMUN5114DW1T1G应用领域
暂无应用领域。