S-LMBZ27VALT1G
IC
SOT-23
可供量大可议
S-LMBZ27VALT1G
特性：工作峰值反向电压范围：3V 至 26V。 标准齐纳击穿电压范围：5.6V 至 33V。 峰值功率：在 1.0ms（单向）时为 24 或 40 瓦。 ESD 等级为 N 级（人体模型超过 16kV）。 低泄漏电流：< 5.0μA。 阻燃等级：UL 94 V-0。 符合 IEC 61000-4-2 标准：空气放电 ±30kV， 接触放电 ±30kV。 产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用； 通过 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力
品牌
LRC
封装
SOT-23
库存
2,150
货期
现货
S-LMBZ27VALT1G参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | LRC(乐山无线电) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 稳压二极管 |
|---|---|
| 库存 | 2150 |
S-LMBZ27VALT1G概述
特性：工作峰值反向电压范围：3V 至 26V。 标准齐纳击穿电压范围：5.6V 至 33V。 峰值功率：在 1.0ms（单向）时为 24 或 40 瓦。 ESD 等级为 N 级（人体模型超过 16kV）。 低泄漏电流：< 5.0μA。 阻燃等级：UL 94 V-0。 符合 IEC 61000-4-2 标准：空气放电 ±30kV， 接触放电 ±30kV。 产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用； 通过 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力
S-LMBZ27VALT1G特性
暂无产品特性。
S-LMBZ27VALT1G应用领域
暂无应用领域。