S-LBAS70-04LT1G
IC
TO-236
可供量大可议
S-LBAS70-04LT1G
特性：低正向电流。 高击穿电压。 保护环保护。 低二极管电容。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 应用：超高速开关。 电压钳位
品牌
LRC
封装
TO-236
库存
3,000
货期
现货
S-LBAS70-04LT1G参数
| 封装 | TO-236 |
|---|---|
| 品牌 | LRC(乐山无线电) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 正向压降(Vf) | 1V@15mA |
| 整流电流 | 70mA |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 100mA |
| 商品型号 | S-LBAS70-04LT1G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3e-05 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 3000 |
| 二极管配置 | 1对串联式 |
| 直流反向耐压(Vr) | 70V |
| 反向电流(Ir) | 10uA@70V |
| 商品名称 | 电压:70V 电流:70mA |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 肖特基二极管 |
S-LBAS70-04LT1G概述
特性：低正向电流。 高击穿电压。 保护环保护。 低二极管电容。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 应用：超高速开关。 电压钳位
S-LBAS70-04LT1G特性
- 低正向电流
- 高击穿电压
- 有保护环
- 低二极管电容
- 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤素
- S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用
- 符合AEC
- Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
S-LBAS70-04LT1G应用领域
- 超高速开关
- 电压钳位
- 保护电路