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S-L2N7002SLT1G
IC

SOT-23

可供量大可议

S-L2N7002SLT1G

场效应管(MOSFET) 300mW 60V 380mA 1个N沟道

品牌

LRC

封装

SOT-23

库存

11,513

货期

现货

S-L2N7002SLT1G参数

封装SOT-23
品牌LRC(乐山无线电)
批次25+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))2.8Ω@10V
阈值电压(Vgs(th))2V
输入电容(Ciss)35pF
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存11,513
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)300mW
栅极电荷量(Qg)440pC@4.5V
反向传输电容(Crss)5pF

S-L2N7002SLT1G概述

场效应管(MOSFET) 300mW 60V 380mA 1个N沟道

S-L2N7002SLT1G特性

暂无产品特性。

S-L2N7002SLT1G应用领域

暂无应用领域。

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