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RZF013P01TL
自营可供
IC

SOT-323-3

RZF013P01TL

场效应管(MOSFET) 800mW 12V 1.3A 1个P沟道

品牌

ROHM

封装

SOT-323-3

交期

现货

批次

两年内

RZF013P01TL参数

封装SOT-323-3
品牌ROHM(罗姆)
批次两年内
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))260mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))1V
输入电容(Ciss)290pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
栅极电压(Vgs)±10V
分类场效应管(MOSFET)
库存7,219
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)12V
耗散功率(Pd)800mW
栅极电荷量(Qg)2.4nC
反向传输电容(Crss)21pF
配置独立式
输出电容(Coss)28pF

RZF013P01TL概述

场效应管(MOSFET) 800mW 12V 1.3A 1个P沟道

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