RZE002P02TL-HXY

RZE002P02 是一款P沟道MOSFET， 采用超小型SOT-523封装， 专为便携式和空间敏感型电子设备设计。 器件规格包括最大漏源电压(VDSS)为20V， 能够承载0.7A的漏极电流(ID)， 并具有260mR的导通电阻(RD(on))， 在低电压、小电流应用中展现优秀性能。 这款MOS管适合应用于电源管理、电池保护电路、逻辑电平转换等领域， 是提升系统效能和精简空间的理想选择。