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RV2C014BCT2CL
IC

DFN1006-3

可供量大可议

RV2C014BCT2CL

场效应管(MOSFET) 400mW 20V 700mA 1个P沟道

品牌

ROHM

封装

DFN1006-3

库存

16,372

货期

现货

RV2C014BCT2CL参数

封装DFN1006-3
品牌ROHM(罗姆)
批次26+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))300mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))1V
反向传输电容(Crss)17pF
输出电容(Coss)19pF
分类场效应管(MOSFET)
库存16,372
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)600mW
输入电容(Ciss)100pF
类型P沟道

RV2C014BCT2CL概述

场效应管(MOSFET) 400mW 20V 700mA 1个P沟道

RV2C014BCT2CL特性

暂无产品特性。

RV2C014BCT2CL应用领域

暂无应用领域。

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