RV2C010UNT2L
IC
X2-DFN1006-3
可供量大可议
RV2C010UNT2L
特性：低导通电阻。 高功率小尺寸封装（VML1006）。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 无卤。 ESD保护高达200V（机器模型）， 高达2kV（人体模型）。 应用：开关
品牌
ROHM
封装
X2-DFN1006-3
库存
10,995
货期
现货
RV2C010UNT2L参数
| 封装 | X2-DFN1006-3 |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10995 |
RV2C010UNT2L概述
特性：低导通电阻。 高功率小尺寸封装（VML1006）。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 无卤。 ESD保护高达200V（机器模型）， 高达2kV（人体模型）。 应用：开关
RV2C010UNT2L特性
暂无产品特性。
RV2C010UNT2L应用领域
暂无应用领域。