RV2C002UNT2L
自营可供
IC
VML1006
RV2C002UNT2L
场效应管(MOSFET) 100mW 20V 180mA 1个N沟道 SC-101(SOT-883)
品牌
ROHM
封装
VML1006
交期
现货
批次
26+
RV2C002UNT2L参数
| 封装 | VML1006 |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:20V 电流:180mA |
| 封装 | SC-101(SOT-883) |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 5e-06 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 100mW |
| 输入电容(Ciss) | 12pF |
| 输出电容(Coss) | 5pF |
| 商品型号 | RV2C002UNT2L |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
RV2C002UNT2L概述
场效应管(MOSFET) 100mW 20V 180mA 1个N沟道 SC-101(SOT-883)
RV2C002UNT2L特性
- 低导通电阻。
- 高功率小尺寸封装(VML1006)。
- 无铅引脚镀层
- 符合RoHS标准。
- 无卤。
RV2C002UNT2L应用领域
- 开关