RV2C001ZPT2L
IC
X1-DFN1006-3
可供量大可议
RV2C001ZPT2L
场效应管(MOSFET) 100mW 20V 100mA 1个P沟道
品牌
ROHM
封装
X1-DFN1006-3
库存
16,000
货期
现货
RV2C001ZPT2L参数
| 封装 | X1-DFN1006-3 |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8Ω@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 300mV |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 16,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 100mW |
| 输入电容(Ciss) | 15pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
RV2C001ZPT2L概述
场效应管(MOSFET) 100mW 20V 100mA 1个P沟道
RV2C001ZPT2L特性
暂无产品特性。
RV2C001ZPT2L应用领域
暂无应用领域。